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北化工嚴(yán)乙銘教授、楊志宇研究員Desalination: 異質(zhì)結(jié)構(gòu)界面電子橋?qū)崿F(xiàn)高效HCDI
北京化工大學(xué)的嚴(yán)乙銘教授、楊志宇研究員課題組在Desalination期刊發(fā)表了題為“Efficient hybrid capacitive deionization with MnO2/g-C3N4heterostructure: Enhancing Mn dz2 electron occupancy by interfacial electron bridge for fast charge transfer"的論文。本文通過在MnO2/g-C3N4異質(zhì)結(jié)構(gòu)中構(gòu)建界面電子橋,增強的Npz-Mndz2軌道雜化成功提高了其用于HCDI的性能。Npz-Mndz2軌道雜化誘導(dǎo)了從g-C3N4到MnO2的電子遷移,實現(xiàn)了高的Mn dz2電子占據(jù)。在工作電壓為1.2V的條件下,MnO2/g-C3N4表現(xiàn)出68mg g-1的除鹽量,3.6mg g-1 min-1的除鹽率以及0.7224kWh kg-1的能耗。這項創(chuàng)新的工作為激活金屬氧化物電化學(xué)活性,從而為加速電荷轉(zhuǎn)移提供了一個可行的方法。
混合電容去離子(HCDI)是一種基于法拉第材料的氧化還原反應(yīng)或離子插入過程的技術(shù),被廣泛研究作為一種高效能耗低的水處理方法。HCDI的關(guān)鍵挑戰(zhàn)在于選擇適合的法拉第電極材料,這將直接影響離子存儲性能。二氧化錳(MnO2)因其高理論電容、豐富的天然資源和環(huán)境友好性而備受關(guān)注。盡管二氧化錳表現(xiàn)出顯著的電容性脫鹽性能,但其固有的低導(dǎo)電性和純相中存在的離子擴(kuò)散能壘限制了其應(yīng)用。因此,有必要設(shè)計和合成優(yōu)化電荷轉(zhuǎn)移動力學(xué)的二氧化錳基電極材料。課題組前期工作已經(jīng)證明,通過增強MnO2中eg軌道上的d電子的離域性,可以提高Na+存儲過程中的電荷轉(zhuǎn)移,相對于低能量的t2g軌道,高能量的eg軌道在電荷轉(zhuǎn)移動力學(xué)中具有重要的調(diào)控意義。在本文中,在MnO2/g-C3N4異質(zhì)結(jié)構(gòu)中引入界面電子橋的研究策略。通過在g-C3N4上原位修飾MnO2,有效地構(gòu)筑了Mn-N界面,從而克服了其界面電子轉(zhuǎn)移限制。同時,研究發(fā)現(xiàn)增強的Npz-Mndz2軌道雜化,使得MnO2/g-C3N4在HCDI應(yīng)用過程中具有較高的Mn dz2電子占據(jù)和Mn dz2軌道能級,有效地提高了電荷轉(zhuǎn)移動力學(xué)。實驗結(jié)果顯示,在1.2V電壓下、500mg L-1 NaCl溶液中,MnO2/g-C3N4表現(xiàn)出顯著增強的SAC(68mg g-1),加速的SAR(3.6mg g-1 min-1)和低的能耗(0.7224kWh kg-1)。
結(jié)果與討論
結(jié)構(gòu)與成分分析
圖1a為化學(xué)沉淀法制備MnO2/g-C3N4的流程圖。
透射電鏡(TEM)揭示了MnO2是由無數(shù)納米花瓣組成的花狀結(jié)構(gòu),而MnO2/g-C3N4呈現(xiàn)出花狀的MnO2附著在層狀的g-C3N4上(圖1b,c)。高分辨率透射電鏡(HRTEM)圖像顯示出,MnO2/g-C3N4是晶格間距為0.250nm(100)的晶體區(qū)域和非晶態(tài)區(qū)域的復(fù)合。能量色散X射線(EDX)光譜獲得的元素映射圖像(圖1e)表明,Mn和O元素主要占據(jù)花狀結(jié)構(gòu),而C和N元素大部分分散在片層上。X射線衍射(XRD)(圖1f)表明MnO2呈現(xiàn)出具有四個*特峰的六方對稱ε-MnO2結(jié)構(gòu),MnO2/g-C3N4顯示出g-C3N4和ε-MnO2的特征峰。傅里葉變換紅外(FTIR)光譜(圖1g),MnO2在550cm-1處由[MnO6]八面體框架的Mn-O振動引起的。g-C3N4在2800~3500cm-1之間表現(xiàn)出寬峰,歸因于O-H和N-H拉伸振動模式。MnO2/g-C3N4傳遞了MnO2和g-C3N4的典型能帶,進(jìn)一步證實了MnO2/g-C3N4中g(shù)-C3N4和MnO2的融合。
用拉曼光譜研究了MnO2與g-C3N4之間的相互作用。圖1h顯示了相比MnO2(626cm-1),MnO2/g-C3N4在635cm-1處的峰明顯右移,表明MnO2/g-C3N4中對稱的Mn-O拉伸振動增強,MnO2與g-C3N4界面相互作用增強。以上表征結(jié)果證明成功合成MnO2/g-C3N4異質(zhì)結(jié)構(gòu)。
Mn-N雜化及Mn原子dz2的變化分析
圖2 a-c) XPS圖證明, MnO2/g-C3N4中N 1s結(jié)合能的藍(lán)移和Mn 2p結(jié)合能的紅移證實了電子從g-C3N4向MnO2遷移。;d-e) sXAS圖證明了Mn-N鍵引入后,Mn與O配位的eg軌道發(fā)生了變化,MnO2/g-C3N4的dz2電子占據(jù)(50.06%)高于MnO2(29.14%)。紫外光電子能譜(UPS)結(jié)果如圖2f所示,g-C3N4的功函數(shù)低于MnO2的功函數(shù),說明電子從g-C3N4向MnO2遷移。此外,與MnO2相比,MnO2/g-C3N4的功函數(shù)更低,為5.14eV,表明電子轉(zhuǎn)移特征增強。圖2g提供了MnO2/g-C3N4中電子遷移現(xiàn)象的可視化表示,當(dāng)g-C3N4引入到MnO2框架中時,由于g-C3N4和MnO2各自的功函數(shù)不同,導(dǎo)致電子從g-C3N4向MnO2遷移。
電化學(xué)性能
電化學(xué)測試結(jié)果如圖3所示。a)循環(huán)伏安(CV)曲線顯示,四種樣品均呈準(zhǔn)矩形形狀,其中MnO2和MnO2/g-C3N4明顯呈現(xiàn)出清晰的氧化還原峰。圖3b,c的恒流充放電(GCD)曲線可以看出,四個樣品的GCD曲線都呈現(xiàn)出近似對稱的三角形?;贕CD曲線,計算了不同電流密度下的比電容,所得結(jié)果如圖3d所示。電容控制百分比情況如圖3f所示,電容控制的MnO2/g-C3N4的大百分比表明了MnO2/g-C3N4促進(jìn)離子轉(zhuǎn)移的特征。圖3g等效電路對電化學(xué)阻抗譜(EIS)數(shù)據(jù)表明不同材料之間的Rs存在差異,這可能是由于電極材料與集流器之間不可避免的系統(tǒng)接觸不良造成的。循環(huán)性能如圖3h。
通過原位拉曼光譜(圖3i)來評估MnO2/g-C3N4的充放電過程。在643cm-1(v1)、565cm-1(v2)和497cm-1(v3)處檢測到3個峰,在充電過程中,v1和ν2峰的強度逐漸增大,并伴有v2峰的輕微紅移,而在放電過程中出現(xiàn)相反的變化。此外,v3峰的拉曼位移和峰強度幾乎沒有變化。原位拉曼結(jié)果證實了MnO2/g-C3N4的可逆Na+嵌入/脫嵌特性。
除鹽性能與機制討論
除鹽測試裝置圖如圖4a所示。電導(dǎo)率曲線如圖4b所示,圖4c為SAC隨時間的變化曲線從,圖4d為SAR曲線, Kim-Yoon圖(圖4e)證明MnO2/g-C3N4比MnO2+g-C3N4和MnO2更優(yōu)*的SAC和SAR。如圖4f表示在1.2V下循環(huán)60次后,SAC保持率始終保持在75%。圖4g可知,在不同工作電壓下,MnO2/g-C3N4比MnO2和MnO2+g-C3N4具有更高的電荷效率。此外,可以觀察到三個樣品的能耗隨著工作電壓的增加而逐漸增加(圖4h),MnO2/g-C3N4的SAC、SAR和能耗與先前報道值進(jìn)行對比分析(圖4i),證明了MnO2/g-C3N4既提高了海水淡化能力,又降低了能耗。
理論計算分析
利用優(yōu)化后的模型、進(jìn)行DFT計算如圖5a、b所示,功函數(shù)差異導(dǎo)致MnO2/g-C3N4的平面平均電荷密度沿z方向重新分布(圖5c),電子定位函數(shù)(ELF)如圖5d。pDOS如圖5f所示,MnO2/g-C3N4和MnO2中的Na+擴(kuò)散能壘(圖5h、i)。圖5j生動地概括了MnO2/g-C3N4增強HCDI性能的內(nèi)在機制:界面相互作用增強的MnO2/g-C3N4異質(zhì)結(jié)構(gòu)具有較強的Npz-Mndz2軌道雜化,使得Mn dz2軌道電子占據(jù)隨著能級的升高而大幅增加,隨后,Mn dz2軌道在MnO2/g-C3N4中的高氧化還原活性可以實現(xiàn)高電荷轉(zhuǎn)移動力學(xué)。
作者簡介
楊志宇,北京化工大學(xué)研究員。北京理工大學(xué)博士學(xué)位,清華大學(xué)博士后。主要研究方向為電化學(xué)領(lǐng)域。目前的研究方向是 (i)電化學(xué)儲能,(ii)電催化CO2還原,電催化甲酸氧化和電催化氮還原 (iii)電容除鹽。已發(fā)表一作、通訊SCI論文60余篇,包括JACS、AEM、AFM、Nano Energy、JEC、Small、CEJ、JMCA、JPS,申請*利7項,授權(quán)5項。
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